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失效分析

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整合工程服务平台提供IT产业的先进技术解决方案,包括发展尖端的测试、验证、诊断及分析工程服务技术:掌握新市场奈米世代半导体先进制程、保护智慧财产权及绿色环保产品趋势,结合电性参数分析、去IC封装、IC层次去除、试片制备、微光显微镜、电子显微镜分析(SEM, TEM)、可靠度工程...等技术,提供最具时效性的高质量全方位服务,加速客户新产品开发及上市的需求。

失效分析步骤:背景调查、确定失效模式、分析失效机理、提出预防措施。

背景调查:基本信息,出于管理需要的信息,样品来源、型号、批次、编号、时间、地点等。 技术信息,是判断可能的失效机理和失效分析方案设计的重要依据。技术信息包括特定使用应用信息:整机故障现象﹑异常环境﹑在整机中的状态﹑二次筛选应力、失效历史、失效比例;特定生产工艺:生产工艺条件和方法及特种器件应先用好品开封了解和研究其结构特点。

确定失效模式:所失效模式是指失效的物理表现形式和过程,一般可理解为导致失效的异常物理现象及其位置。判断失效原因。失效原因通常是指酿成失效甚至事故的直接关键性因素,也就是失效的外因,往往与设计,材料,制造工艺,环境以及管理有关。

分析失效机理。失效机理是指失效的物理,化学变化本质,其实就是指失效的内因。在集成电路的失效分析中包含两部分内容,一部分是指导致电气性能失效的物理现象,称为电性失效机理;另一部分是指引起这种物理现象的本质,成为物理失效机理。

提出预防措施。预防措施的提出是建立在前面对失效模式,失效原因和失效机理深入分析和准确把握的基础上。只有这样,才能对设计,材料,制造工艺,环境以及管理做出相应的改进和创新的预防措施,从而避免类似失效的发生。

 

失效分析一般流程:

收集失效现场数据

电测并确定失效模式

非破坏检查

打开封装

镜检

通电并进行失效定位

对失效部位进行物理化学分析,确定失效机理

综合分析,确定失效原因,提出纠正措施

 

失效分析主要手段:

光学检测 External Visual 

电学测试 I-V Curve

X射线检查X-RAY 

声学扫描 SAM 

物理检查 Physical Inspection 

金相切片 Corss-section

染色分析 Dye & Fry

开封Decap 

聚焦离子束 FIB

光辐射电子显微镜 EMMI

扫描电镜能谱分析SEM-EDS

透射电镜TEM

显微傅利叶红外分析 FTIR

俄歇电子成份分析 AES-XPS

粘贴强度 Attachment Strength 

剪切强度Die shear strength

引线键合强度Bond Strength

 

主要失效分析技术能力:

集成电路 

分立元器件 

小型整机 

电子工艺材料的检测分析

元器件工艺适应性测试评价

PCB&PCBA失效分析

金属材料及部件

高分子材料及部件

涂料、涂层产品

包装材料

腐蚀失效分析

工艺设计

可靠性分析及评价


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